본문 바로가기

Nature Communications

스핀 트랜지스터, 이제 상온에서 작동한다.(장준연 차세대반도체연구소장, 스핀융합연구단 박태언 박사) 저온에서만 작동하는 스핀 트랜지스터의 한계를 극복한 핵심기술 개발 반도체 나노선 이용하여 상온에서 높은 스핀 주입률 달성 최근 국내 연구진이 차세대 반도체 소재로 주목 받고 있는 ‘반도체 나노선’*을 이용하여 상온에서 고효율로 스핀을 주입하고 검출 성능을 획기적으로 높일 수 있는 기술을 개발했다. 연구진은 기존에 저온에서만 작동하던 한계를 극복한 상온에서 구동하는 스핀 트랜지스터 개발 가능성을 한층 높였다고 밝혔다. *나노선 : 수십 나노미터 수준의 매우 얇은 폭을 가진 선형 구조체. 전기전자와 화학, 바이오 공학 등 첨단과학 분야에 다양하게 활용됨. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 차세대반도체연구소 장준연 소장, 스핀융합연구단 박태언 박사 연구팀은 질화갈륨(GaN) 반도체 나노선을 이용해 상.. 더보기
‘빛’으로 작동하는 초고속 스핀 메모리 원리 규명했다(스핀트로닉스연구단 최경민 박사) 빛의 각운동량으로 인한 자성체의 자화방향을 초고속으로 조절하는 원리 기존보다 수천 배 빠른 초고속 스핀 메모리 소자에 응용 기대 스핀 메모리(MRAM)는 메모리 반도체의 패러다임을 바꿀 차세대 반도체로 각광받고 있다. 최근 국내 연구진이 기존의 스핀 메모리 동작 방법인 자기장이나 전류를 공급하여 자화방향을 바꾸는 방법이 아닌, ‘빛’만으로 자화방향을 바꿀 수 있는 기존보다 수천 배 빠른 초고속 스핀 메모리의 동작 원리를 규명했다고 밝혔다. 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 최경민 박사는 미국 일리노이 주립대학 안드레 슐리프(Andre Schleife) 교수, 데이비드 케이힐(David Cahill) 교수 연구팀과 3년간의 공동연구를 통해, 편광(偏光, polarization)* 된.. 더보기