네이처 커뮤니케이션즈 썸네일형 리스트형 KIST 연구진이 규명한 ‘스커미온’의 직진운동, 초저전력 차세대 스핀 메모리가 온다(스핀융합연구단 우성훈 박사) KIST 연구진이 규명한 ‘스커미온’의 직진운동, 초저전력 차세대 스핀 메모리가 온다. - 삼성미래기술육성사업 선정과제로 수행, ‘스커미온 직진운동’ 최초 구현 - 향후 스커미온 기반의 초저전력 스핀 메모리 구현에 기여할 것으로 기대 2009년 처음 발견된 소용돌이 모양의 스핀 구조체인 ‘스커미온(Skyrmion)’*은 특유의 위상학적 안정성과 작은 크기, 효율적인 움직임 등으로 인해 초고밀도, 고속력 차세대 메모리 소자의 기본 단위로 학계에서 매우 큰 주목을 받고 있다. 하지만 스커미온의 위상학적 특징 중 하나인, ‘스커미온 홀 효과(Skyrmion Hall effect)’**로 인해서 스커미온의 운동을 원하는 방향으로 제어할 수 없었고, 따라서 외부에서 인가하는 전류의 방향 그대로 움직이는 ‘스커미온.. 더보기 이전 1 다음
