국내 연구진, 세계 최초 초소형 반도체 제작

국내 연구진, 세계 최초 초소형 반도체 제작 
최중범 충북대 교수, '세계 최초 2나노미터 초소형 반도체 나노트랜지스터' 개발
  
 

▲ 최중범 교수.  ⓒ2011 HelloDD.com

국내 연구진이 세계 최초로 트랜지스터에서 '상온 양자효과'를 확인, 반도체 성능 향상의 돌파구를 열었다.

교육과학기술부(장관 이주호)는 최중범 충북대 나노기술연구소 교수팀 주도하에 일본 홋카이도대, 영국 캠브리지대와 국제협력으로 '세계 최초 2나노미터 초소형 반도체 나노트랜지스터'를 제작, '상온 양자효과 관측'에 성공했다고 31일 밝혔다.

최 교수팀은 실험을 통해 2나노미터 크기의 반도체 트랜지스터 제작에 성공해 최초로 상온에서 전자의 전하와 에너지의 양자화가 나노트랜지스터 동작 특성을 현저하게 변화시키는 결과를 실험적으로 규명했다.

교과부에 따르면 현재 상용화돼 쓰이고 있는 트렌지스터는 30나노미터 정도이며 실험적으로 개발된 크기도 20나노미터 정도로 2나노미터 크기는 세계 최소 수준이다.

또 0 혹은 1이라는 입력 값으로만 연산가능했던 기존의 반도체에 비해 최 교수팀이 개발한 나노트랜지스터는 상온양자 효과에 의해 단 한개의 소자에 0, 1, 2, 3이라는 다중치 연산이 가능하다.

이를 상용화하는 경우 차세대 테라비트급 컴퓨터, 특히 노트북과 스마트폰 등의 초소형 모바일 기기에 들어가는 반도체 소자의 소비전력 상승에 따른 발열량을 수십분의1로 줄일 수 있다.

최 교수는 "이번 연구 결과에서 얻은 상온양자효과를 이용하면 기존 실리콘 소재의 반도체로도 회로 수와 전력 소모를 크게 줄인 테라급 기능의(현재 기가급 반도체의 1000배) 나노반도체 구현이 가능해질 것"이라고 연구 의의를 전했다.

이번 연구결과는 나노과학분야 권위지인 미국 '나노레터즈 (Nano Letters)' 4월호에 게재됐다.
 

<대덕넷 김지영 기자> orgHs12345@HelloDD.com      트위터 : @orghs

2011년 05월 31일