전북분원 김태욱 선임연구원, Advanced Materials 권두표지논문 게재(2.3)

 

전북분원 김태욱 선임연구원,

Advanced Materials 권두표지논문 게재

 

전북분원  김태욱 선임연구원의 All-Organic Photopatterned One Diode-One Resistor Cell Array for Advanced Organic Nonvolatile Memory Applications 논문이 Advanced  Materials 권두표지(Frontispiece) 논문에 실렸다. 이번 연구는 저차원 탄소소재유도체(PCBM)과 광가교고분자(photo sensitive polyimide)의 복합체를 저항변화 메모리층으로 사용하고, 포토패터닝이 가능한 공액고분자(P3HT)를 유기다이오드 층으로 적용하여 유기 소재만으로 메모리-다이오드 집적소자 어레이(Array)를 제작하였다. 일반적으로 유기소재는 다양한 유기용매에 취약성을 가져, 용액기반공정으로 패터닝이 매우 어렵고 따라서 제한적인 방법으로 유기전자소자의 집적화가 가능하였다. 이번 연구에서는 광가교결합(photo crosslink)이 가능한 유기소재를 사용하여 원하는 영역에 원하는 특성을 가지는 유기소재를 패터닝함으로써, 유기소재 기반 전자소자가 보여주지 못한 두 가지 전자소자의 적층을 통한 고집적 유기메모리 소자 제작 가능성을 보여주었다.  특히 본 연구에서는 유기메모리 소자의 어레이(array)구조에서 나타나는 인접한 셀들의 간섭현상(cross-talk)을 패터닝이 가능한 유기다이오드를 유기 메모리 소자에 적층함으로써 효과적으로 제어하여, 차세대 고집적 유기 비휘발성 메모리 개발에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.

이번 연구는 KIST 기관고유사업 연구 결과물이며 University of Washington의 Alex Jen교수님 실험실과 공동연구를 통해 수행했다. 이번 논문이 실린 Advanced Materials는 2010년 ISI Impact Factor: 10.88 로서 최신 미래 재료 및 재료 기술을 주로 다루는 대표적인 저널이다.